SQM120P04-04L_GE3
Vishay Siliconix
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Vishay Siliconix SQM120P04-04L_GE3
| Artikelnummer: | SQM120P04-04L_GE3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 40V 120A TO263 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $3.64 |
| 10+ | $3.266 |
| 100+ | $2.6757 |
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- Spezifikationen
- Einkaufshandbuch
- Versandinformationen
- Verpackung
-
Vishay Siliconix SQM120P04-04L_GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SQM120P04-04L_GE3.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-263 (D²Pak) Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 30A, 10V Verlustleistung (max) 375W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13980 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 330 nC @ 10 V Typ FET P-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tc) Grundproduktnummer SQM120 SQM120P04-04L_GE3 Einzelheiten PDF [English] SQM120P04-04L_GE3 PDF - EN.pdf -
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